应金属所邀请，2016年度李薰青年学者奖获得者、美国伊利诺伊大学香槟分校Shen J Dillon博士于5月3日至8日访问金属所。

　　来访期间，Shen J Dillon博士为我所科研人员和研究生作了题目为 “Atomic Transport in Crystalline Alloys in Extreme Environments”及“In-situ Characterization of Reaction Mechanisms and Degradation Processes in Energy Conversion and Storage Systems”的两篇李薰奖报告。报告前，张健副所长代表金属所为Shen J Dillon博士颁发了李薰青年学者奖奖牌。颁奖仪式和报告由邰凯平研究员主持。在报告中，Shen J Dillon博士详细介绍了金属材料中剧烈塑性变形引起的自组装纳米结构机制、晶界/界面结构对点缺陷吸收效率的影响、原位环境透射电镜技术在电化学合成反应、锂离子电池电极材料、辐照损伤蠕变、纳米结构多层膜力学性能分析等前沿领域的最新研究成果。报告得到了我所科研人员和研究生的热情响应，听众纷纷提问踊跃，就感兴趣的问题与Shen J Dillon博士进行了讨论。

　　Shen J Dillon博士的研究工作集中于陶瓷材料偏析和晶界的原子结构及其组织演变。着眼于揭示材料微观层面的原子尺度过程和整体性质。当前工作涉及能源类纳米材料的结构表征和性能应用，在原位透射电镜表征工作方面取得了重要成就。发表SCI论文60余篇，引用数超过900次。承担美国DOE、NSF和Naval Research Lab多项科研任务，同时与科技企业（GE、Samsung、BP等）保持密切的合作关系，拥有多项美国专利。

张健副所长为Shen J Dillon博士颁发李薰青年学者奖奖牌

Shen J Dillon博士作报告