题　目：薄膜场效应器件的机理模型与特性调控

报告人：刘川 教授 （中山大学）

时　间：2023年7月6日（周四）9:00-11:00

地　点：李薰楼468会议室

 

个人简介 

　　刘川教授，在清华大学和英国剑桥大学分别获得学士和博士。曾在日本国立物质材料研究机构(NIMS)、韩国东国大学工作。现为中山大学电子与信息工程学院教授、光电材料与技术国家重点实验室固定成员。研究半导体薄膜器件的理论、制备、集成等。发表Nat. Electron.、Sci. Adv.等论文，主持国家重点研发项目课题、国自然优青项目、广东省自然科学杰出青年基金、应用研发专项等项目。任Semicond. Sci. Tech.期刊编委、J. Information Display期刊副主编、J. Soc. Inf. Display期刊副主编、第13届国际薄膜晶体管会议执行主席。 

邮箱： liuchuan5@mail.sysu.edu.cn 

　　  

题目：薄膜场效应器件的机理模型与特性调控 

摘要： 

　　新材料的出现给薄膜场效应器件的基本理论和器件机制带来新的重要问题。揭示新材料的内秉电学特性，对新材料、新器件的基础研究和应用研究都非常重要。许多新开发的纳米线、二维纳米片、有机小分子或聚合物等半导体，都用来制备场效应晶体管FET或薄膜晶体管TFT。然而，由于电极功函数失配、界面缺陷态、热损伤、各向异性输运、界面俘获等因素，大量器件都偏离理想晶体管的特性，这给深入研究这些半导体的输运性质、器件的工作状态，都带来很大的困难。有机半导体和氧化物半导体的优势是很明显的，即可通过较低温度甚至是溶液法制备薄膜器件，且具有耐弯折性。但二者也有共同的缺点，即晶体结构的无序性导致大量缺陷态的出现。这导致场效应中电荷注入和电荷传输的机制，都与共价键硅基半导体器件有显著的区别。本报告将从理论和实验两方面，简要探讨在薄膜场效应器件和理论模型和特性调控方面的新思路。