报告题目：电荷补缀方法及其在大规模电子结构计算中的应用

　　报告人：康俊，北京计算科学中心特聘研究员

　　时间： 9月26日（周六），下午14:00

　　地点： 师昌绪楼406室

　　摘要

　　传统的第一性原理密度泛函理论（DFT）方法受到计算能力的局限，通常仅能模拟小于一千原子规模的体系。因此，常规DFT方法在很多问题的研究上受到局限，如低维纳米结构、合金材料、缺陷体系等，这些体系往往需要构建数千至上万原子的超胞。电荷补缀法是近年来发展起来的一种大原胞第一性原理计算方法。该方法基于体系电荷密度的局域性特点，利用小体系中计算得到的电荷基元构建大体系中的电荷密度并求解电子结构。其计算量仅随原子数目线性增长，可处理上万原子规模的超胞并实现DFT级别精度。本次报告将简要介绍电荷补缀方法的基本思想，以及我们利用该方法在大规模体系模拟方面开展的一些工作，包括量子点体系、缺陷体系以及摩尔超晶格体系等。

　　个人简介

　　康俊，北京计算科学中心特聘研究员。2014年博士毕业于中国科学院半导体研究所。此后分别在比利时安特卫普大学和美国劳伦斯伯克利国家实验室从事博士后研究。2019年入选国家级人才计划，并加入北京计算科学研究中心工作。主要从事新型低维半导体材料和器件的计算模拟和理论设计研究，包括能带调控机制、缺陷和杂质、输运特性和激发态等。目前在Nat. Mater.、Nat. Commun.、Nano Lett.、PRB等期刊发表论文60余篇，引用5000余次，并于2017年获国家自然科学二等奖（第三完成人）。

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