所内各部门（课题组）： 

　　国家基金委近期发布了“关于征集“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2023年度项目指南建议的通知”具体要求如下： 

　　一、科学目标 

　　面向未来芯片算力问题，聚焦芯片领域发展前沿，拟通过与信息、数理、工程材料、生命等多学科的交叉融合，在超低能耗信息处理新机理、载流子近似弹道输运新机理、具有高迁移率与高态密度的新材料、高密度集成新方法以及高能效非冯计算新架构等方面取得突破，研制出1fJ以下开关能耗的超低功耗器件和超越硅基CMOS载流子输运速度极限的高性能器件，实现算力提升2个数量级以上的非冯？诺伊曼架构芯片，发展变革型基础器件、集成方法和计算架构，培养一支有国际影响力的研究队伍，提升我国在芯片领域的自主创新能力和国际地位。 

　　二、核心科学问题 

　　（一）器件能耗边界及突破机理 

　　功耗墙是后摩尔时代限制芯片算力提升的本质问题之一。本计划将探寻传统MOSFET器件的能耗边界，研究突破该边界的输运新机理，实现极低功耗下的计算、存储和传输。 

　　（二）逼近速度极限的输运机制 

　　器件性能和集成架构是支撑芯片算力提升的基础。本计划将探索实现长自由程和高态密度材料体系和近似弹道输运的器件机理，逼近载流子弹道输运速度极限，解决集成环境下寄生效应造成的性能退化，实现超越传统MOSFET的高性能器件。 

　　（三）超越冯氏架构能效的机制 

　　传统的计算架构与范式难以满足多样化的信息感知、处理与存储要求。本计划将探寻基于新型信息载体和编码方式的计算与存储单元，以此为基础构建突破冯？诺依曼架构能效瓶颈的新型计算架构与范式。 

　　三、指南建议书主要内容 

　　（一）对解决本重大研究计划核心科学问题、实现总体目标的贡献； 

　　（二）围绕解决核心科学问题拟开展的主要研究内容； 

　　（三）预期可能取得的突破性进展及其可行性论证； 

　　（四）国内外在相关方向的研究现状和水平。 

　　请建议人点击上方链接，仔细阅读建议征集要求，于2022年10月12日前将“指南建议书”电子版（见链接内附件）发至tanghua@nsfc.gov.cn。 

　　联系人：杨　楠　83973102　nyang@imr.ac.cn 
　　　　　　佟百运　23971197　bytong@imr.ac.cn